Choose a language
+1(337)-398-8111
Live-Chat
注文追跡
日本語
IR (Infineon Technologies) / FF6MR12W2M1B11BOMA1
画像は参考用です。実際の画像を取得するには、お問い合わせください
FF6MR12W2M1B11BOMA1
| 製造業者識別番号: | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET MODULE 1200V 200A |
| データシート: | FF6MR12W2M1B11BOMA1 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 述べる
- IR (Infineon Technologies) FF6MR12W2M1B11BOMA1 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。
仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | CoolSiC™+ |
| パッケージ | Tray |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 200A (Tj) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.55V @ 10mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 496nC @ 15V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14700pF @ 800V |
| パワー-最大 | 20mW (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | AG-EASY2BM-2 |
オプションの購入
在庫状況: 60
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
||
貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
人気モデル
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
カートに追加されました！
このアイテムはカートに追加されました。