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IR (Infineon Technologies) / FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1

製造業者識別番号: FF200R12KT4HOSA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
データシート: FF200R12KT4HOSA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズC
パッケージBulk
部品ステータスActive
IGBTタイプTrench Field Stop
構成Half Bridge
電圧-コレクターエミッターの内訳(最大)1200 V
電流-コレクター(Ic)(最大)320 A
パワー-最大1100 W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic2.15V @ 15V, 200A
電流-コレクターカットオフ(最大)5 mA
入力静電容量(Cies)@ Vce14 nF @ 25 V
入力Standard
NTCサーミスタNo
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
パッケージ/ケースModule
サプライヤーデバイスパッケージModule
オプションの購入

在庫状況: 51

最小: 1

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