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Intersil (Renesas Electronics America) / HIP6603BECB-T

HIP6603BECB-T

製造業者識別番号: HIP6603BECB-T
メーカー: Intersil (Renesas Electronics America)
説明の一部: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
データシート: HIP6603BECB-T データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTape & Reel (TR)
部品ステータスObsolete
ドリブン構成Half-Bridge
チャネルタイプSynchronous
ドライバーの数2
ゲートタイプN-Channel MOSFET
電圧-供給10.8V ~ 13.2V
論理電圧-VIL、VIH-
電流-ピーク出力(ソース、シンク)-
入力方式Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)15 V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)20ns, 20ns
動作温度0°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC-EP
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