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ROHM Semiconductor / BS2103F-E2

BS2103F-E2

製造業者識別番号: BS2103F-E2
メーカー: ROHM Semiconductor
説明の一部: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
データシート: BS2103F-E2 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
ドリブン構成Half-Bridge
チャネルタイプIndependent
ドライバーの数2
ゲートタイプIGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給10V ~ 18V
論理電圧-VIL、VIH1V, 2.6V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)60mA, 130mA
入力方式Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)600 V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)200ns, 100ns
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP
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