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STMicroelectronics / L6491D

L6491D

製造業者識別番号: L6491D
メーカー: STMicroelectronics
説明の一部: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
データシート: L6491D データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTube
部品ステータスActive
ドリブン構成Half-Bridge
チャネルタイプIndependent
ドライバーの数2
ゲートタイプIGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給10V ~ 20V
論理電圧-VIL、VIH1.45V, 2V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)4A, 4A
入力方式Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)600 V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)15ns, 15ns
動作温度-40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ14-SO
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