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Renesas Electronics America / 70T651S10DR

70T651S10DR

製造業者識別番号: 70T651S10DR
メーカー: Renesas Electronics America
説明の一部: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
データシート: 70T651S10DR データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージTray
部品ステータスObsolete
メモリタイプVolatile
メモリフォーマットSRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
メモリー容量9Mb (256K x 36)
メモリインターフェースParallel
クロック周波数-
書き込みサイクルタイム-ワード、ページ10ns
アクセス時間10 ns
電圧-供給2.4V ~ 2.6V
動作温度0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース208-BFQFP
サプライヤーデバイスパッケージ208-PQFP (28x28)
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