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| 製造業者識別番号: | BSM300D12P3E005 |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| 説明の一部: | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
| データシート: | BSM300D12P3E005 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | - |
| パッケージ | Bulk |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流-連続排水(Id)@ 25°C | 300A (Tc) |
| Rds On(Max)@ Id、Vgs | - |
| Vgs(th)(Max)@ Id | 5.6V @ 91mA |
| ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | - |
| 入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14000pF @ 10V |
| パワー-最大 | 1260W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
