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製造業者識別番号: | BSM300D12P3E005 |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
説明の一部: | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
データシート: | BSM300D12P3E005 データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
---|---|
シリーズ | - |
パッケージ | Bulk |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 300A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5.6V @ 91mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | - |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14000pF @ 10V |
パワー-最大 | 1260W (Tc) |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤーデバイスパッケージ | Module |