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Vishay / Siliconix / SIZF914DT-T1-GE3
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SIZF914DT-T1-GE3
| 製造業者識別番号: | SIZF914DT-T1-GE3 |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| 説明の一部: | DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC |
| データシート: | SIZF914DT-T1-GE3 データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Vishay / Siliconix SIZF914DT-T1-GE3 はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 25V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 23.5A (Ta), 40A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.8mOhm @ 10A, 10V, 0.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC, 98nC @ 10V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1050pF, 4670pF @ 10V |
| パワー-最大 | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
オプションの購入
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
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