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IR (Infineon Technologies) / IRF6702M2DTR1PBF
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IRF6702M2DTR1PBF
| 製造業者識別番号: | IRF6702M2DTR1PBF |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| 説明の一部: | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET |
| データシート: | IRF6702M2DTR1PBF データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- IR (Infineon Technologies) IRF6702M2DTR1PBF はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 30V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 15A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.6mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.35V @ 25µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1380pF @ 15V |
| パワー-最大 | 2.7W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MA |
オプションの購入
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| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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