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Renesas Electronics America / RJM0603JSC-00#12

RJM0603JSC-00#12

製造業者識別番号: RJM0603JSC-00#12
メーカー: Renesas Electronics America
説明の一部: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
データシート: RJM0603JSC-00#12 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズAutomotive, AEC-Q101
パッケージTray
部品ステータスActive
FETタイプ3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレインからソースへの電圧(Vdss)60V
電流-連続排水(Id)@ 25°C20A
Rds On(Max)@ Id、Vgs20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs43nC @ 10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds2600pF @ 10V
パワー-最大54W
動作温度175°C
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ20-HSOP
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