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製造業者識別番号: | MSCSM120AM027CD3AG |
メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
説明の一部: | PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3 |
データシート: | MSCSM120AM027CD3AG データシート |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況: | 在庫あり |
発送元: | Hong Kong |
発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
タイプ | 説明 |
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シリーズ | - |
パッケージ | Box |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N Channel (Phase Leg) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレインからソースへの電圧(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
電流-連続排水(Id)@ 25°C | 733A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.5mOhm @ 360A, 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.8V @ 9mA |
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs | 2088nC @ 20V |
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds | 27000pF @1000V |
パワー-最大 | 2.97kW (Tc) |
動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤーデバイスパッケージ | D3 |
在庫状況: 3
最小: 1
量 | 単価 | 内線 価格 |
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