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Rochester Electronics / EFC2J013NUZTDG

EFC2J013NUZTDG

製造業者識別番号: EFC2J013NUZTDG
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
データシート: EFC2J013NUZTDG データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能Standard
ドレインからソースへの電圧(Vdss)-
電流-連続排水(Id)@ 25°C-
Rds On(Max)@ Id、Vgs-
Vgs(th)(Max)@ Id1.3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs37nC @ 4.5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds-
パワー-最大1.8W (Ta)
動作温度150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース6-SMD, No Lead
サプライヤーデバイスパッケージ6-WLCSP (2x1.49)
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在庫状況: 3964

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