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Rochester Electronics / FDP16AN08A0

FDP16AN08A0

製造業者識別番号: FDP16AN08A0
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
データシート: FDP16AN08A0 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズPowerTrench®
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)75 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C9A (Ta), 58A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs16mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs42 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1.857 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)135W (Tc)
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3
パッケージ/ケースTO-220-3
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在庫状況: 15890

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