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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDP18N20F

FDP18N20F

製造業者識別番号: FDP18N20F
メーカー: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
説明の一部: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
データシート: FDP18N20F データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズUniFET™
パッケージTube
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)200 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C18A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs145mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs26 nC @ 10 V
Vgs(最大)±30V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1180 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)100W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3
パッケージ/ケースTO-220-3
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