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IR (Infineon Technologies) / BSO080P03SHXUMA1

BSO080P03SHXUMA1

製造業者識別番号: BSO080P03SHXUMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
データシート: BSO080P03SHXUMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C12.6A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs136 nC @ 10 V
Vgs(最大)±25V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds5890 pF @ 25 V
FET機能-
消費電力(最大)1.79W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージP-DSO-8
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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