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Rochester Electronics / BSO080P03NS3EGXUMA1

BSO080P03NS3EGXUMA1

製造業者識別番号: BSO080P03NS3EGXUMA1
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: MOSFET P-CH 30V 12A DSO-8
データシート: BSO080P03NS3EGXUMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C12A (Ta)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)-
Rds On(Max)@ Id、Vgs8mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id1.9V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs81 nC @ 10 V
Vgs(最大)±25V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds6750 pF @ 15 V
FET機能-
消費電力(最大)1.6W (Ta)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-DSO-8
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
オプションの購入

在庫状況: 1596

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