SI8487DB-T1-E1

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package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	30 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	4.9A (Ta)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	31mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±12V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	2240 pF @ 15 V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-Microfoot
パッケージ/ケース	4-UFBGA

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