SI8472DB-T2-E1

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	20 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	3.3A (Ta)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs（最大）	±8V
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	630 pF @ 10 V
FET機能	-
消費電力（最大）	780mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-Micro Foot (1x1)
パッケージ/ケース	4-UFBGA

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