EPC2023

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すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。

package

仕様

タイプ	説明
シリーズ	eGaN®
パッケージ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
ドレインからソースへの電圧（Vdss）	30 V
電流-連続排水（Id）@ 25°C	60A (Ta)
ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs	-
Vgs（最大）	-
入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds	2300 pF @ 15 V
FET機能	-
消費電力（最大）	-
動作温度	-
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	Die
パッケージ/ケース	Die

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