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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK3R1A04PL,S4X
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TK3R1A04PL,S4X
| 製造業者識別番号: | TK3R1A04PL,S4X |
| メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 説明の一部: | MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS |
| データシート: | TK3R1A04PL,S4X データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK3R1A04PL,S4X はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
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仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | U-MOSIX-H |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | 40 V |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | 82A (Tc) |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 500µA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 63.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4670 pF @ 20 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 36W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
オプションの購入
在庫状況: 当日発送
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
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価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
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