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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK3R9E10PL,S1X
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TK3R9E10PL,S1X
| 製造業者識別番号: | TK3R9E10PL,S1X |
| メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 説明の一部: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| データシート: | TK3R9E10PL,S1X データシート |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫状況: | 在庫あり |
| 発送元: | Hong Kong |
| 発送方法: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK3R9E10PL,S1X はchipnets.comで入手できます。New＆Originalパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品の詳細を知りたい場合、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。
すべてのEelctronicsコンポーネントは、ESD帯電防止保護によって非常に安全に梱包されます。
仕様
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ | * |
| パッケージ | Tube |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | - |
| 技術 | - |
| ドレインからソースへの電圧（Vdss） | - |
| 電流-連続排水（Id）@ 25°C | - |
| ドライブ電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | - |
| 入力静電容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | - |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | - |
オプションの購入
在庫状況: 135
最小: 1
| 量 | 単価 | 内線 価格 |
|---|---|---|
価格はご利用いただけません。RFQをお願いします |
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貨物計算
FedExによるUS $ 40。
3〜5日で到着
エクスプレス：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）150ドルを超える注文の場合、最初の0.5kgで送料無料、オーバーウェイトは別途請求されます
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