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ROHM Semiconductor / BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

製造業者識別番号: BSM120D12P2C005
メーカー: ROHM Semiconductor
説明の一部: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
データシート: BSM120D12P2C005 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズ-
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能Silicon Carbide (SiC)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-連続排水(Id)@ 25°C120A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs-
Vgs(th)(Max)@ Id2.7V @ 22mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs-
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds14000pF @ 10V
パワー-最大780W
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ-
パッケージ/ケースModule
サプライヤーデバイスパッケージModule
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