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IR (Infineon Technologies) / BSO303PNTMA1

BSO303PNTMA1

製造業者識別番号: BSO303PNTMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
データシート: BSO303PNTMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)
部品ステータスObsolete
FETタイプ2 P-Channel (Dual)
FET機能Logic Level Gate
ドレインからソースへの電圧(Vdss)30V
電流-連続排水(Id)@ 25°C8.2A
Rds On(Max)@ Id、Vgs21mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id2V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs72.5nC @ 10V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1761pF @ 25V
パワー-最大2W
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージP-DSO-8
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