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Rochester Electronics / BSO330N02KG

BSO330N02KG

製造業者識別番号: BSO330N02KG
メーカー: Rochester Electronics
説明の一部: N-CHANNEL POWER MOSFET
データシート: BSO330N02KG データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージBulk
部品ステータスActive
FETタイプ2 N-Channel (Dual)
FET機能Logic Level Gate
ドレインからソースへの電圧(Vdss)20V
電流-連続排水(Id)@ 25°C5.4A
Rds On(Max)@ Id、Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id1.2V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs4.9nC @ 4.5V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds730pF @ 10V
パワー-最大1.4W
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
パッケージ/ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージPG-DSO-8
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在庫状況: 2746

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